Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 6П2.151/М 78 Заглавие : МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов : научное издание Выходные данные : Москва: Радио и связь, 1988 Колич.характеристики :496 с.: табл., рис.; 22см ISBN (в пер.), Цена 5-256-00130-2: 4.10, р. УДК : 6П2.151 Предметные рубрики: интегральные схемы сверхбольшие Содержание : Диффузия в кремнии ; Термическое окисление кремния: кинетика, электрические заряды, физические модели и взаимодействие с другими технологическими процессами изготовления СБИС ; Применение хлорированных окислов и методов внутреннего геттерирования в технологии СБИС ; Ионная имплантация ; Пучковый отжиг имплантированного кремния ; Контроль материалов ; Одномерное моделирование технологических процессов изготовления ИС ; Моделирование поликристаллических кремниевых структур для процессов производства интегральных схем ; Двумерное моделирование технологических процессов - программа SUPRA ; Численное моделирование процессов перераспределения примеси вблизи края маски ; Система моделирования диффузионных процессов методом конечных элементов ; Оптическая литография и литография в глубокой УФ области ; Моделирование топографии ; Двумерное моделирование МОП-транзисторов ; Анализ непланарных приборов ; Анализ приборов с помощью метода конечных элементов Экземпляры :ТО(1) Свободны : ТО(1) Доп.точки доступа: Антонетт, П. \под ред.\; Антониадис, Д. \под ред.\; Даттон, Р. \под ред.\; Оулдхем, У. \под ред.\; Кустов, В. Л. \пер. с англ.\; Петров, В. М. \пер. с англ.\; Селляхова, О. В. \пер. с англ.\; Суриса, Р. А. \под ред.\