Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 537/Ф 50 Заглавие : Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника Выходные данные : Ташкент: Фан, 1977 Колич.характеристики :158, [1] с.: ил.; 21 см Коллективы : Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт имени С. В. Стародубцева Примечания : Библиография в конце статей Цена : 1.73, 1.73, р. Предметные рубрики: Физика полупроводников Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика полупроводников--инжекционные явления--ионизирующие излучения--температурные воздействия--оптоэлектронные структуры--теория синтеза--колебания тока Аннотация: Рассматриваются вопросы инжекционных явлений в фоточувствительных полупроводниковых структурах, содержащих глубокие примеси. Обсуждается влияние ионизирующих излучений, температурных и других внешних воздействий на полупроводниковые оптоэлектронные структуры. Изложены результаты исследований, связанных с возможностью применения полупроводниковых структур с глубокими примесями в оптоэлектронных системах обработки информации. Экземпляры :КХР(1) Свободны : КХР(1) Доп.точки доступа: Азимов, С. А \ред.\; Академия наук Узбекской ССРФизико-технический институт имени С. В. Стародубцева