Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Номер ЧБ
 

Вход/Регистрация через ЕСИА

Базы данных


Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: <.>K=РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ<.>
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/Л 38
Автор(ы) : Смирнов, Леонид Степанович, Соловьев, Сергей Петрович, Стась, Владимир Федосеевич, Харченко, Вячеслав Александрович
Заглавие : Легирование полупроводников методом ядерных реакций : монография
Выходные данные : Новосибирск: Наука Сибирское отделение, 1981
Колич.характеристики :181 с.: ил.; 22.5см
Коллективы : АН СССР. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников
Цена : 1.90, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ядерное легирование полупроводников--радиационные дефекты в полупроводниках--ядерное легирование кремния--полупроводниковые приборы
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)