Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Номер ЧБ
 

Вход/Регистрация через ЕСИА

Базы данных


Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: <.>K=ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ<.>
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.15/Т 40
Автор(ы) : Тилл, Уильям, Лаксон, Джеймс
Заглавие : Интегральные схемы : материалы, приборы, изготовление
Выходные данные : Москва: Мир, 1985
Колич.характеристики :504 с.: рис., табл.; 22 см
Перевод издания: Till W. Integrated circuits : Materials, devices, and fabrication/ W. Till, J. Luxon
Примечания : Библиогр. в конце гл. - Предм. указ. : с. 496-501
Цена : 2.40, 2.40, р.
УДК : 6П2.15
Предметные рубрики: Микроэлектронные схемы интегральные
Дескрипторы: микроэлектроника--печатные платы--биполярные транзисторы--кристаллы--кремний--твердые растворы--диффузия--эпитаксиальные слои--полупроводники--металлы--полевые транзисторы--литография--диоды
Содержание : Технология интегральных схем ; Энергетические зоны и свойства кристаллов ; Фазовые диаграммы и твердые растворы ; Диффузия и ионное внедрение (имплантация) ; Выращивание эпитаксильных слоев и их свойства ; Диод с p- n-переходом ; Биполярные транзисторы ; Системы металл - окисел - полупроводники ; Полевые транзисторы ; Литография ; Изготовление интегральных схем ; Изготовление гибридных схем ; Присоединение, установка в корпус и испытания ; Семейства цифровых логических элементов.
Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивание эпитаксильных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/Б 28
Автор(ы) : Батавин, Виталий Васильевич, Концевой, Юлий Абрамович, Федорович, Юрий Вячеславович
Заглавие : Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур
Выходные данные : Москва: Радио и связь, 1985
Колич.характеристики :264 с.: рис., табл.; 22 см
Серия: Измерения в электронике
Примечания : Библиография: с.251-262
Цена : 1.10, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводники-- Параметры-- Измерение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--эпитаксиальные слои--электрофизические параметры--структурные параметры--контрольно-измерительные приборы
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)