Поисковый запрос: <.>K=полупроводники<.> |
Общее количество найденных документов : 193
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/Т 38
Заглавие : Технология ионного легирования
: материал технической информации
Выходные данные : Москва: "Советское радио", 1974
Колич.характеристики :158 с.:
ил.; 17.5см
Примечания : Библиогр.: с. 140 - 156
Цена : 0.34, 0.51, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--легирование ионное
Экземпляры : всего : ТО(2)
Свободны : ТО(2)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П3.2/Р 69
Автор(ы) : Романенко, Владимир Николаевич
Заглавие : Управление составом полупроводниковых кристаллов
: научное издание
Выходные данные : М.: Металлургия, 1976
Колич.характеристики :368 с.: ил.
; 20 см.
Примечания : Список лит.: с. 355-362 ( 194 назв.). - Предм. указ.: с. 363-368
Цена : 1.15, 1.15, р.
ББК : 6П3.2
Предметные рубрики: Металлургия-- Полупроводниковые приборы
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315/Ш 26
Автор(ы) : Шарма Б. Л., Пурохит Р. К.
Заглавие : Полупроводниковые гетеропереходы
: научное издание
Выходные данные : Москва: Советское радио, 1979
Колич.характеристики :232 с.:
ил.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 173-225
Цена : 1.60, 1.60, р.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.315.592:539.2
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--гетеропереходы--электрические свойства--оптоэлектронные элементы--инжекционные лазеры
Аннотация: Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства.
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.592-047.8/М 60-404104151
Автор(ы) : Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А.
Заглавие : Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия)
: монография
Выходные данные : Москва: Металлургия, 1974
Колич.характеристики :392 с.:
ил; 23см
Цена : 1.67, р.
УДК : 621.315.592-047.84
ББК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводники-- Производство
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)Есть полнотекстовые версии (для доступа требуется авторизация)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/Б 89
Автор(ы) : Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И.
Заглавие : Производство полупроводниковых приборов
: учебник для подготовки рабочих на пр-ве
. -3-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Высш. шк., 1973
Колич.характеристики :364 с.:
ил; 22 см
Серия: Профтехобразование. Полупроводники
Цена : 0.54, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы-- Производство
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)Есть полнотекстовые версии (для доступа требуется авторизация)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Л 22
Автор(ы) : Ланно, Мишель, Бургуэн, Жак
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках. Теория
Выходные данные : Москва: Мир, 1984
Колич.характеристики :264 с.:
ил.a-табл.; 21 см
Перевод издания: Lannoo By M. Point defects in semiconductors J/ By M. Lannoo, J. Bourgoin. -Berlin, 1981
Примечания : Библиография: с. 248-253
Цена : 2.30 р.
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники-- Энтропия миграции
Экземпляры :КХР(1)
Свободны : КХР(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 4И(Англ)/С24
Заглавие : Полупроводники
: учеб. пособие по англ. яз. для учащихся радиоэлектронных учеб. завед.
. -2-е изд.
Выходные данные : М. : Высш. шк., 1973
Колич.характеристики :78 с
Цена : 11, р.
ББК : 4И(Англ)
Предметные рубрики: Английский язык
Экземпляры :ОИЛ(1)
Свободны : ОИЛ(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/Л 64
Автор(ы) : Литвинов, Ренальд Олимпиевич
Заглавие : Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов
: материал технической информации
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1972
Колич.характеристики :115 с.:
ил.; 20.5см
Коллективы :
Академия наук УCCР. Институт полупроводников
Примечания : Библиогр.: с. 113 - 115
Цена : 0.61, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--полупроводниковые приборы--поверхностные свойства--характеристики
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/М 31
Автор(ы) : Масленников П.Н., Сысоев В.В.
Заглавие : Оптимизация структуры линий полупроводникового производства при их проектировании
Выходные данные : Воронеж: издательство Воронеж. университета, 1979
Колич.характеристики :108 с.:
ил.; 21см
Цена : 0.70, р.
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводники-- электротехника
Экземпляры :ТО(1)
Свободны : ТО(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537.42/Э 45
Заглавие : Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников
: труды симпозиума
Выходные данные : Новосибирск, 1967
Колич.характеристики :239 с.:
граф.; 25 см
Примечания : Библиография: с. 238
Цена : 1.50 р.
Предметные рубрики: Полупроводники-- Электричество-- Электромагнетизм
Экземпляры :КХР(1)
Свободны : КХР(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан
Стандартный
Главная
Описание
