Национальная библиотека Республики Дагестан им. Р. Гамзатова

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан- результаты поиска

Вид поиска

Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: <.>S=Физика полупроводников<.>

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 537/О-77
Автор(ы) : Остробородова, Валентина Васильевна
Заглавие : Спецпрактикум по физике полупроводников/ Валентина Васильевна Остробородова, Венедикт Дмитриевич Егоров ; под редакцией В. С. Вавилова. Ч. 1
Выходные данные : Москва: Издательство Московского университета, 1974
Колич.характеристики :75, [1] с.: ил.
Цена : 1.80 р.
Предметные рубрики: Физика полупроводников
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика полупроводников
Экземпляры :КХР(1)
Свободны : КХР(1)
Найти похожие

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 537/Ю 54
Автор(ы) : Юнович, Александр Эммануилович
Заглавие : Спецпрактикум по физике полупроводников/ А. Э. Юнович, В. В. Остробородова. Ч. 2
Выходные данные : Москва: Издательство Московского университета, 1976
Колич.характеристики :103, [3] с.: ил.
Примечания : Библиография: с. 105
Цена : 0.21, 0.21, р.
Предметные рубрики: Физика полупроводников
Экземпляры :КХР(1)
Свободны : КХР(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ф 50
Заглавие : Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника
Выходные данные : Ташкент: Фан, 1977
Колич.характеристики :158, [1] с.: ил.; 21 см
Коллективы : Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт имени С. В. Стародубцева
Примечания : Библиография в конце статей
Цена : 1.73, 1.73, р.
Предметные рубрики: Физика полупроводников
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика полупроводников--инжекционные явления--ионизирующие излучения--температурные воздействия--оптоэлектронные структуры--теория синтеза--колебания тока
Аннотация: Рассматриваются вопросы инжекционных явлений в фоточувствительных полупроводниковых структурах, содержащих глубокие примеси. Обсуждается влияние ионизирующих излучений, температурных и других внешних воздействий на полупроводниковые оптоэлектронные структуры. Изложены результаты исследований, связанных с возможностью применения полупроводниковых структур с глубокими примесями в оптоэлектронных системах обработки информации.
Экземпляры :КХР(1)
Свободны : КХР(1)
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)