Национальная библиотека Республики Дагестан им. Р. Гамзатова

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан- результаты поиска

Вид поиска

Каталог Национальной Библиотеки Республики Дагестан

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: <.>K=ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ<.>

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

6П2.15
Т 40

    Тилл, Уильям.
    Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ.: М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого ; под ред. М. В. Гальперина. - Москва : Мир, 1985. - 504 с. : рис., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце гл. - Предм. указ. : с. 496-501. - Пер. изд. : Integrated circuits : Materials, devices, and fabrication / W. Till, J. Luxon. - 24 000 экз.. - (в пер.) : 2.40 р.
    Содержание:
Технология интегральных схем
Энергетические зоны и свойства кристаллов
Фазовые диаграммы и твердые растворы
Диффузия и ионное внедрение (имплантация)
Выращивание эпитаксильных слоев и их свойства
Диод с p- n-переходом
Биполярные транзисторы
Системы металл - окисел - полупроводники
Полевые транзисторы
Литография
Изготовление интегральных схем
Изготовление гибридных схем
Присоединение, установка в корпус и испытания
Семейства цифровых логических элементов.

УДК

6П2.15

Рубрики: Микроэлектронные схемы интегральные
Дескрипторы: микроэлектроника -- печатные платы -- биполярные транзисторы -- кристаллы -- кремний -- твердые растворы -- диффузия -- эпитаксиальные слои -- полупроводники -- металлы -- полевые транзисторы -- литография -- диоды
Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивание эпитаксильных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.

Доп.точки доступа:
Лаксон, Джеймс; Левин, М. Б. \пер.\; Микуцкий, В. Г. \пер.\; Гальперин, Михаил Владимирович \ред.\; Till, W. ; Luxon, J.
~Экземпляры всего: 1
ТО (1)
Свободны: ТО (1)
Найти похожие

6П2.151
Б 28

Батавин, Виталий Васильевич.
Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур [Текст] / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович. - Москва : Радио и связь, 1985. - 264 с. : рис., табл. ; 22 см. - (Измерения в электронике). - Библиография: с.251-262. - 5 000 экз.. - (в пер.) : 1.10 р.

УДК

6П2.151

Рубрики: Полупроводники--Параметры--Измерение
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- СТРУКТУРНЫЕ ПАРАМЕТРЫ -- КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович; Федорович, Юрий Вячеславович
~Экземпляры всего: 1
ТО (1)
Свободны: ТО (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)