6П2.151 А 62         Аморфные полупроводники и приборы на их основе [Текст] : научное издание / [Й. Хамакава, Ф. и др.] ; под ред. Й. Хамакавы ; пер. с англ. А. Н. Морозова. Ю. С. Сафонова, В. А. Исаакяна ; под ред. С. С. Горелика. - Москва : Металлургия, 1986. - 375, [1] с. : граф., ил. ; 23 см. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 373-376. - Пер. изд. : Amorphous semiconductor: Technologies. Devices. - Tokyo etc., 1983. - 2070 экз.. - (в пер.) : 4.40 р. УДК 6П2.151 Рубрики: Полупроводники аморфные Кл.слова (ненормированные): АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- АМОРФНОСТЬ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Доп.точки доступа: Хамакава, Йошихиро; Морозов, А. Н. \пер.\; Сафонов, Ю. С. \пер.\; Исаакян, В. А. \пер.\; Горелик, С. С. \ред.\ ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1)

6П2.151 М 60     Мильвидский, Михаил Григорьевич.     Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] / М. Г. Мильвидский. - Москва : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1986. - 144 с. : ил., табл. ; 21см. - 11300 экз.. - 0.50 р. УДК 6П2.151 Рубрики: Полупроводниковые материалы Кл.слова (ненормированные): досконалі монокристали -- совершенные монокристаллы -- кремній -- кремний -- арсенід галія -- арсенид галлия -- фосфід індія -- фосфид индия -- епітаксиальні структури -- эпитаксиальные структуры -- власні точечні структурні дефекти -- собственные точечные структурные дефекты -- розподіл домішок -- распределение примесей -- досконалі гетероструктури -- совершенные гетероструктуры -- гомоепітаксиальні структури -- гомоэпитаксиальные структуры -- полікристалічні напівпровідники -- поликристаллические полупроводники -- аморфні напівпровідники -- аморфные полупроводники Аннотация: Закономерности деффектообразования, особенности текстуированных полупроводников, новые тенденции в их создании и применении. ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1)