6П2.151 Б 48     Берг, А.     Светодиоды [Текст] : перевод с английского / А. Берг, П. Дин ; ред., авт. предисл. А. Э. Юнович. - Москва : Мир, 1973. - 99 с. : ил. ; 26 см. - (Наука для техники. Современная радиоэлектроника). - Библиогр.: с. 87-97. - Пер. изд. : Lightemitting diodes / A. A. Berg, P. J. Dean. - New York, 1972. - 1.37 р. УДК 6П2.151 Рубрики: Светодиоды--Научные издания Кл.слова (ненормированные): КОНСТРУИРОВАНИЕ -- МЕХАНИЗМЫ ИНЖЕКЦИИ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ВЕЛИЧИНЫ -- ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ -- ФОСФИД ГАЛЛИЯ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ЭФФЕКТ ОЖЭ -- ФОТОМЕТРИЯ Доп.точки доступа: Дин, П.; Юнович, А. Э. \ред., авт. предисл.\; Berg, A. A.; Dean, P. J. ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1)

6П2.151 М 60     Мильвидский, Михаил Григорьевич.     Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] / М. Г. Мильвидский. - Москва : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1986. - 144 с. : ил., табл. ; 21см. - 11300 экз.. - 0.50 р. УДК 6П2.151 Рубрики: Полупроводниковые материалы Кл.слова (ненормированные): досконалі монокристали -- совершенные монокристаллы -- кремній -- кремний -- арсенід галія -- арсенид галлия -- фосфід індія -- фосфид индия -- епітаксиальні структури -- эпитаксиальные структуры -- власні точечні структурні дефекти -- собственные точечные структурные дефекты -- розподіл домішок -- распределение примесей -- досконалі гетероструктури -- совершенные гетероструктуры -- гомоепітаксиальні структури -- гомоэпитаксиальные структуры -- полікристалічні напівпровідники -- поликристаллические полупроводники -- аморфні напівпровідники -- аморфные полупроводники Аннотация: Закономерности деффектообразования, особенности текстуированных полупроводников, новые тенденции в их создании и применении. ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1)