П 49 Полевые транзисторы на арсениде галлия [Текст] : принципы работы и технология изготовления / П. Ф. Линдквист, У. М. Форд, Л. Холлан [и др.] ; под ред.: Д. В. Лоренцо, Д. Д. Канделуола ; пер. с англ. Г. В. Петрова. - Москва : Радио и связь, 1988. - 495 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 439 - 490. - Пер. изд. : Gats fet principles and technology. - 10 000 экз.. - ISBN 5-256-00136-1 (в пер.) : 2.70 р.
Кл.слова (ненормированные): триоды полупроводниковые полевые -- галлий арсенид -- полупроводниковые свойства Доп.точки доступа: Линдквист, П. Ф.; Форд, У. М.; Холлан, Л.; Лоренцо, Д. В. \под ред.\; Канделуол, Д. Д. \под ред.\; Петров, Г. В. \пер. с англ.\ ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1) |