А 85 Арсенид галлия в микроэлектронике [Текст] = VLSI Elctronics Microstructure Scince / [У. Уиссмен и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. - Москва : Мир , 1988. - 555 с. : рис., табл. ; 22 см. - Авт. указ. на оборот. тит. л. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 548-552. - 4 600 экз.. - ISBN 5-03-000130-1 (в пер.) : 4.90 р.
Електротехнічні матеріали і вироби--Наукові видання Кл.слова (ненормированные): изготовление интегральных схем -- виготовлення інтегральних схем -- граница раздела -- межа розділу -- полевые транзисторы -- польові транзистори -- цифровые интегральные схемы -- цифрові інтегральні схеми -- гетероструктурный транзистор -- гетероструктурний транзистор -- фотолитография -- фотоліторгафія -- барьеры Шоттки -- бар'єри Шотткі -- матрицы логических элементов -- матриці логічних елементів -- ионная имплантация -- іонна імплантація -- метод Берга-Барретта Аннотация: Разработки и технология изготовление арсенидгаллиевых интегральных схем, обладающих высокой стойкостью к воздействию радиации и высоких температур. Доп.точки доступа: Уиссмен, У.; Френсли, У.; Дункан, У.; Уестфел, Дж.; Айнспрук, Н. \ред.\; Уиссмен, У. \ред.\; Данилин, А. Б. \пер.\; Ерохин, Ю. Н. \пер.\; Налбандов, Б. Г. \пер.\; Эйдельман, Б. Л. \пер.\; Мордкович, В. Н. \ред.\ ~Экземпляры всего: 1 ТО (1) Свободны: ТО (1) |