Ф 50 Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника [Текст] / Академия наук Узбекской ССР, Физико-технический институт имени С. В. Стародубцева ; ответственный редактор С. А Азимов. - Ташкент : Фан, 1977. - 158, [1] с. : ил. ; 21 см. - Библиография в конце статей. - 1000 экз.. - 1.73 р. Рубрики: Физика полупроводников Кл.слова (ненормированные): ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- инжекционные явления -- ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ -- оптоэлектронные структуры -- теория синтеза -- колебания тока Аннотация: Рассматриваются вопросы инжекционных явлений в фоточувствительных полупроводниковых структурах, содержащих глубокие примеси. Обсуждается влияние ионизирующих излучений, температурных и других внешних воздействий на полупроводниковые оптоэлектронные структуры. Изложены результаты исследований, связанных с возможностью применения полупроводниковых структур с глубокими примесями в оптоэлектронных системах обработки информации. Доп.точки доступа: Азимов, С. А \ред.\; Академия наук Узбекской ССРФизико-технический институт имени С. В. Стародубцева ~Экземпляры всего: 1 КХР (1) Свободны: КХР (1) |